本文標題："電阻測量應在比測量較低純度樣品更低溫度下進行"
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電阻測量應在比測量較低純度樣品更低溫度下進行
測量電阻率以便電子在外表而上的散射并不導致電阻率的明
顯增加.電阻測量應該在比測量較低純度樣品更低的溫度下
進行。這是因為雜質(zhì)對電阻率的貢獻是測量到的電阻率值減
去由于熱激發(fā)引起的電阻率.在液氫溫度下，“理想”電阻
率在高純鋁總電阻率中僅是一個小部分，但它在區(qū)熔提純鋁
中變得非常重要.為了避免純度貢獻上由此所導致的大的誤
差，測量在液氮溫度下進行，理想電阻率與殘留電阻率相比
因而很小。
電阻率測量確定純度也已成功地應用于其它金屬。對子
銅來說，如果在適當條件一「進行退火，特別是應防止導致電
阻率很大改變的氧的存在，那么這個方法是靈敏的，并確實
給出了好的結果。
除了測定純度外，電阻率測量在物理金屬學中還得到了
其它應用.例如雜質(zhì)在點陣中不同位置對電阻率有不同影響
就被用來研究沉淀.純金屬中來自雜質(zhì)的電阻率很小，因而
低溫電阻率可以靈敏地鑒定點陣缺陷的存在.
總之，用低溫電阻率測量研究純金屬，由于能快速測定
雜質(zhì)總量，因而是一個很有成果的方法.但得出的是半定量
的結果，這些結果應該與分析數(shù)據(jù)相比較，而分析方法是測
定每種存在雜質(zhì)的濃度的唯一方法。
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電阻測量應在比測量較低純度樣品更低溫度下進行,金相顯微鏡現(xiàn)貨供應
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