本文標題："掃描電容顯微鏡觀察摻雜元素影像的動態(tài)觀察"
發(fā)布者：yiyi ------ 分類: 行業(yè)動態(tài) ------
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掃描電容顯微鏡觀察摻雜元素影像的動態(tài)觀察
掃描電容顯微鏡
半導體的元件運作及電性可以經(jīng)由不同的摻雜濃度及自由載子的分佈來控制，
被用來分析摻雜元素或載子的一維空間分佈及濃度變化。
以往，制程發(fā)展工程師可利用一維擴散模型，以模擬計算尋求最佳化的制程條件。
但隨著半導體元件深次微米化的進展，閘極通道變得越來越小，汲極與源極區(qū)域之摻雜元素的側(cè)向擴散效應，
將強烈影響閘極通道內(nèi)摻雜元素的分佈與濃度變化，因此，如何取得多維空間的摻雜元素或載子濃度影像的動態(tài)觀察與分析，
將是制程發(fā)展工程師建立準確深次微米制程模擬模型的重要關鍵
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