本文標題："使用掃描電流顯微鏡對氧化層進行量測"
發(fā)布者：yiyi ------ 分類: 行業(yè)動態(tài) ------
人瀏覽過-----時間：2013-4-16 21:15:40
可經(jīng)由微區(qū)的電特性量測來暸解氧化層內(nèi)漏電流之傳導(dǎo)機制，進而分析其薄膜品質(zhì)。然而上述方法仍屬于破壞性的量測方式，
于是我們利用統(tǒng)計電流分布的方式，計算掃描區(qū)域的穿隧電流(tunneling current)訊號分布之半高寬值(full-width at half-maximum，F(xiàn)WHM)，
藉FWHM值的變化來分析薄膜品質(zhì)好壞。首先，掃描電流顯微鏡在零偏壓條件下對氧化層進行量測，
由電流分布統(tǒng)計得到初始FWHM值，從進行量測的過程中可知，當施予的偏壓產(chǎn)生微小變化，會明顯影響其穿隧電流的大小，
當逐漸增加偏壓會陸續(xù)得到其他電流分布的FWHM值，比較各組數(shù)據(jù)之間的差異，
當設(shè)定的偏壓增加至-5.0 V左右會造成FWHM值有較明顯的上升，其原因是較大的偏壓能提供較高的電場，
導(dǎo)致較大的穿隧電流從試片表面?zhèn)鲗?dǎo)出來，因而使得電流訊號分布增加，以致于FWHM值上升，
其原理為近代物理的量子穿隧(quantum tunneling)理論，掃描電流顯微鏡在進行量測時，
導(dǎo)電探針與試片會形成一微小的MOS (metal–oxide– semiconductor)結(jié)構(gòu)，當施予高偏壓會使得氧化層的能障寬度變窄，
相當于氧化層厚度變薄，此時電子越過三角能障區(qū)域而產(chǎn)生F-N穿隧電流的機率便會增加。而根據(jù)F-N穿隧理論，若穿隧電流的大小為IFN，
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